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光電開關中的CCD基本結構和工作原理
 
更新時間:2015.01.10 瀏覽次數:
 

  光電開關中中的CCD的基本組成分兩部分,MOS光敏元陳列和讀出移位寄存器。電荷耦合器件是在半導體硅片上制作成千上萬個光敏元,一個光敏元又稱一個像素,在半導體硅平面上光敏元按線陳或面陳有規則地排列。當物體通過物鏡成像,這些光敏元就產生與照在它們上面的光強成正比的光生電荷,同一面積上光敏元越多分辨率越高,得到的圖像越清楚。電荷耦合器件具有自掃描能力,能將光敏元上產生的光生電荷依次有規律也串行輸出,輸出的幅值與對應的光敏元件上電荷量成正比。

  電荷存儲原理。MOS光敏元件結構是在半導體基片上生長一個具有介質作用的氧化物,又在上面沉積一層金屬電極,形成MOS光敏元。

  當金屬電極上加正電壓時,由于電場作用,電極下P型硅區里空穴被排斥形成耗盡區,對電子而言,是一勢能很低的區域,稱勢阱。有光線入射到硅片上時,光子作用下產生電子空穴對,空穴被電場作用排斥出耗盡區,而電子被附近勢阱吸引,此時勢阱內吸收的光子數與光強度成正比。

  人們稱一個MOS結構元為MOS光敏元或一個像素,把一個勢阱所收集的光生電子稱為一個電荷包,CCD器件內是在硅片上制作 成百上千相互獨立的MOS元,每個金屬電極加電壓,就形成成百上千個勢阱。如果照射在這些光敏元上是一幅明暗起伏的圖像,那么這些光敏元就感生出一幅與光照度響應的光生電荷圖像,這就是電荷耦合件的光電物理效應基本原理。

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